浙江中晶科技股份有限公司（以下简称“中晶股份”）披露首次公开发行股票招股说明书，申请在深圳证券交易所上市，本次拟公开发行股票数量不超过2494.70万股，占发行后总股本的比例不低于25%。

  资料显示，中晶股份成立于2010年，注册资本7481.30万元，是一家专注于半导体硅材料的研发、生产和销售的高新技术企业，基本的产品为半导体硅片及硅棒，定位于半导体分立器件和集成电路用硅材料市场。

  据了解，中晶股份曾于2014年10月21日挂牌新三板，自2017年8月31日起终止其股票挂牌，并于2017年12月在中国证监局进行上市辅导备案。时长一年多的上市辅导结束后，日前中晶股份递交招股书，正式迈向A股。

  根据招股书，2016-2018年，中晶股份分别实现营业收入为1.60亿元、2.37亿元、2.53亿元；分别实现净利润3271.75万元、4879.83万元、6648.15万元；主营业务毛利率分别是34.06%、37.67%、44.07%，呈逐年上升趋势。

  中晶股份目前的基本的产品为半导体硅材料，包括半导体硅片与半导体硅棒，大范围的应用于各类分立器件的制造，产品规格涵盖3~6英寸、N型/P型、0.0008Ω·cm~100Ω·cm阻值范围的硅棒及研磨片、化腐片、抛光片等。2016-2018年，中晶股份单晶硅片在主体业务收入中的营收占比分别为55.23%、57.05%、64.71%，单晶棒的营收占比分别为44.77%、42.95%、35.29%。

  半导体硅片方面，中晶股份以3-6英寸的硅研磨片为主，其中主要规格为3英寸和4英寸，2016-2018年两类产品合计占研磨片出售的收益的占比分别是89.14%、95.29%、90.11%，主要使用在于各类功率二极管、功率晶体管、大功率整流器、晶闸管、过压/过流保护器件等功率半导体器件以及部分传感器、光电子器件的制造。

  半导体硅棒方面，中晶股份生产的单晶硅棒为3-6英寸，除自用来生产硅片产品外，同时销售给其他半导体硅片制造商，经后续加工形成的硅片主要使用在于分立器件等领域。其中，单晶硅棒产品对外销售的主要规格为3英寸和4英寸，2016-2018年两类产品合计占单晶硅棒出售的收益90%左右。

  2016-2018年，中晶股份前五大客户出售的收益合计占总出售的收益的占比分别是43.41%、42.75%、41.12%，占比较为稳定。2018年其前五名客户依次为四川晶美硅业、山东晶导微电子、济南科盛电子、杭州赛晶电子、中电集团第四十六研究所，其主要竞争对手则最重要的包含环欧半导体、上海合晶、昆山中辰、成都青洋等。

  本次首次公开发行股票，中晶股份拟募集资金用于投资三个项目，分别为高端分立器件和超大规模集成电路用单晶硅片项目、企业研发技术中心建设项目和补充流动资金项目。上述募集资金投资项目的总投资额为7.15亿元，拟使用募集资金6亿万元。

  其中，高端分立器件和超大规模集成电路用单晶硅片项目预计总投资为6.15亿元，拟使用募集资金5亿元。项目达产后，中晶股份将新增年产1060万片单晶硅片的生产能力，这中间还包括4-6英寸研磨片600万片/年、4-6英寸抛光片400万片/年、8英寸抛光片60万片/年。

  中晶股份表示，公司经过多年发展，在业务规模、产品质量、研发能力等方面的总实力不断的提高，目前在半导体分立器件用硅材料领域尤其是硅研磨片细分市场已占据领头羊。但从国际行业竞争格局来看，公司的规模仍较小，在集成电路用抛光片、外延片领域的研发技术、创造新兴事物的能力等方面与国际大型厂商相比仍存在比较大差距。

  这次中晶股份将以本次发行新股和上市为契机，通过募集资金投资项目的顺利实施，在巩固分立器件用硅研磨片行业地位的前提下，未来将加大产品深加工，提升半导体单晶硅抛光片的研发和制造能力，拓展高端分立器件和集成电路用硅材料市场，进一步深挖细致划分领域产品应用，开发新的增长点。

  台湾地区半导体制造商台积电日前发布了重要的公告称，向应用材料等公司订购价值新台币56.68亿元（约合人民币13亿元）设备。 据了解，此次台积电订购对象分别为Lam Research International Sarl，Applied MaterialsSouth East Asia Pte. Ltd.，IMS Nanofabrication AG和ASML，但并未透露具体设备型号。 台积电此次购进的设备究竟是用于7nm扩产还是5nm和3nm的新产线，目前还无从得知。但今年以来，台积电的7nm产能持续满载。根据此前报道，台积电曾于7月追加过一次7nm产能，以应对比特大陆急单。 另外，苹果作为台积电先进制程的忠实用户，A13芯片也没

  泰瑞达公司(Teradyne, Inc.)近日宣布，镇江艾科半导体有限公司(Acetec，简称“艾科”)下单订购了20个J750ExHD系统，用于对移动联网设备做数字晶圆拣选及最终测试。艾科位于中国镇江的新生产测试工厂计划于2013年10月完工，泰瑞达将从2013年第三季度—也就是该工厂完工前—开始在艾科新的生产测试工厂安装这些系统。 艾科总裁兼首席执行官Ken Wang表示：“我们之所以选择将J750ExHD作为艾科的主ATE平台，是因为其涵盖了最广泛的低成本消费设备服务市场。更多的系统选择将扩大我们在发展迅猛的图像传感器和移动联网设备部门的生产测试服务市场。无晶圆与IDM半导体公司慢慢的开始寻求泰瑞达新款HD仪器所具备的J750

  中国，2013年4月10日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及全球最大的瞬态电压抑制（TVS）保护器件供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出全球最小的瞬态电压抑制二极管，为消费电子科技类产品和手持产品内的敏感电子元器件提供过压保护功能。 ESDAVLC6-1BV2是同种类型的产品中首款采用业界最小的标准贴装封装，尺寸为0.45 x 0.2mm，较目前尺寸为0.6 x 0.3mm的器件小了一个尺寸。 与智能手机和平板电脑内的其他芯片尺寸相比，设计人员即可发现意法半导体新产品的节省空间的优势。意法半导体ASD和IPAD产品部市场总监Eric Paris表示：“一个用

  打入苹果/三星及华米OV等全球一线手机品牌的产业链模组龙头欧菲光，正在进行“瘦身”计划，引入地方国资，同时聚焦光学和生物识别业务，并向半导体领域延伸扩张。 6月29日，欧菲光发布了重要的公告称，南昌市产盟投资管理有限公司（以下简称“南昌产盟投资”）同意支付10亿元人民币预付款，以增资或股权转让的方式持有南昌欧菲生物识别技术有限公司（以下简称“欧菲生物识别”）相应股权，具体股权占比各方同意按照最终审计评估的评价估计价格为基础确定。据悉，欧菲生物识别公司成立五年来致力于高性能传感器解决方案及模组的研发和制造。与欧菲光其他板块不同，该板块一直主打微电子研发技术创新，而非以制造取胜。 此前，欧菲光与南昌市政公用投资控股有限责任公司(下称“南昌市政

  全球最大半导体设备供应商应用材料(AppliedMaterials)于4日宣布，已经同意以每股63美元现金的价格，收购另一家半导体设备制造商Varian，总收购价达49亿美元。 若依Varian于3日的股票收盘价计算，应用材料的出价要高出55%，也较Varian股票过去30个交易日平均收盘价值高出38%。 应用材料执行长MikeSplinter表示，收购Varian对于该公司的核心半导体业务营利战略是正面的。他表示，在创新脚步不断加快的时代，需要更具行动力、连结性以及更客制化的设备，而Varian的加入将可强化该公司的创新与制程。Splinter指的是，目前正快速地增长的智能型手机市场。 应用材料预计，完成收购

  市场调查公司IC Insights公布最新统计多个方面数据显示，今年一至六月份期间，在全球半导体厂商出售的收益排名中，英特尔以175亿美元的收入仍就保持全球第一。它的竞争者AMD以28.5亿美元的收入下滑为第十五名。 调查公司表示，今年前半年，全球半导体市场的出售的收益比去年同期增长6%，前20家半导体厂商的收入同比增长了10%。出售的收益至少达到21亿美元的厂商才能够入围前20家名单。在全球最高20家半导体提供商中（包括无工厂模式半导体厂商），美国公司占八家，日本占六家，三家欧洲公司和二家韩国公司，全球第一大代工芯片制造商中国台积电是中国唯一入围全球最高20家半导体提供商的公司。 统计多个方面数据显示，与去年同期相比，在20家半导

  2月18日，推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。 安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。 新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计

  发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET /

  作为无人驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源，半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介绍面向VCSEL的干法工艺。 VCSEL制造工艺 1. 外延生长 在GaAs（砷化镓）衬底上，通过分子束外延生长由 多个周期的AlGaAs（砷化铝镓）/GaAs层堆叠在一起的 AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed Bragg Reflector）。 2. Patterning＆Mask形成 为了将外延层做成被称为 Mesa 的圆柱形，制作一个掩模图案。 3. Mesa加工

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